広島大学 大学院先端物質科学研究科 半導体集積科学専攻 極微細デバイス工学研究室

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極微細デバイス工学研究室の目指すところ

私たちが社会に担っている使命は、デバイスの微細化限界を見据えて、これを回避する方法の提案、および回路応用への可能性をさぐることと認識しています。これまでMOSFETモデルHiSIMの開発を通して、これを実現してきました。これからはいよいよキャリアの非定常輸送がデバイス特性を支配する時代に突入してきます。こういった時代に向けて、デバイス特性とこれを用いた回路特性を正確に予測し、極限デバイス応用と位置づけられる生体デバイスの実現に寄与していくことを目標としています。

研究スコープ

デバイスの高周波応答の測定・解析を通して、キャリアの非定常輸送を解明し、この知見を基に極限デバイスとしての可能性を探求しています。 これには、キャリアの輸送現象を量子現象や電荷の弾道輸送、個別の特性として解釈するのではなく、総合的に電荷のシステムとして捉えることに注力しています。

主に次の3つの観点から研究を推進しています。

    1. デバイスレベル:非定常輸送の解明とモデル化、これを用いたデバイス提案
    2. 基本回路レベル:デバイスで観測できない現象の回路による解明
    3. デバイス/回路シミュレーションモデルHiSIMの開発